La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDC638APZ

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	FDC638APZ
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	PowerTrench®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id	1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.6W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	SuperSOT™-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	12nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1000pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	4.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V