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FDC637BNZ

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDC637BNZ
Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.6W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT™-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 895pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 4713 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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