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FDC3601N

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: FDC3601N
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 700mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 500mOhm @ 1A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT™-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 153pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1A

En stock 87 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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