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FDC2612_F095

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDC2612_F095
Descripción: MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 725mOhm @ 1.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.6W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT™-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 234pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 90 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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