La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDB3632

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDB3632
Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 10V
Disipación de energía (máx.) 310W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 110nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6000pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 13638 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NDP6020P
ON Semiconductor
$1.81
STP100N6F7
STMicroelectronics
$1.81
STP5NK80Z
STMicroelectronics
$1.81
IRFS4115TRLPBF
Infineon Technologies
$0