Image is for reference only , details as Specifications

FDB0165N807L

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDB0165N807L
Descripción: MOSFET N-CH 80V 310A TO263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.6mOhm @ 36A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263-7
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 304nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 23660pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 310A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 965 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IXFA22N65X2
IXYS
$3.76
FDP2710
ON Semiconductor
$3.76
FDP2614
ON Semiconductor
$3.74
IRFI740GLCPBF
Vishay / Siliconix
$3.71
TK17A80W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
$3.66