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FCP190N65S3R0
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | FCP190N65S3R0 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | SuperFET® III |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4.5V @ 1.7mA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 144W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220-3 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 33nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1350pF @ 400V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 17A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 85 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.42 | $1.39 | $1.36 |
Mínimo: 1
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