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EFC6602R-A-TR
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | EFC6602R-A-TR |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH EFCP |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Característica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 2W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 6-XFBGA, FCBGA |
| Vgs(th) (Max) - Id | - |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | EFCP2718-6CE-020 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 55nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | - |
En stock 95 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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