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2N6052G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2N6052G
Descripción: TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Tray
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-204AA, TO-3
Tipo de transistor PNP - Darlington
Número de pieza base 2N6052
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 200°C (TJ)
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores TO-204 (TO-3)
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 3V @ 120mA, 12A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 12A
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 750 @ 6A, 3V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 100V

En stock 189 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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