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2N5639G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - JFETs
Ficha técnica: 2N5639G
Descripción: JFET N-CH 35V 0.31W TO92
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - JFETs
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 310mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de pieza base 2N5639
Resistencia - RDS(On) 60 Ohms
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92-3
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Voltaje - Desglose (V(BR)GSS) 35V
Corriente - Drenaje (Idss) - Vds (Vgs-0) 25mA @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 10pF @ 12V (VGS)

En stock 80 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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