Image is for reference only , details as Specifications

PSMN7R6-100BSEJ

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PSMN7R6-100BSEJ
Descripción: MOSFET N-CH 100V D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7.6mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 296W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 128nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7110pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 75A (Tj)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 4605 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.43 $2.38 $2.33
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BUK962R8-60E,118
Nexperia USA Inc.
$0
SUD70090E-GE3
Vishay / Siliconix
$1.5
IRF60B217
Infineon Technologies
$1.49
IRFR9214PBF
Vishay / Siliconix
$1.49
SPB11N60C3ATMA1
Infineon Technologies
$0