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PSMN4R3-100ES,127

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PSMN4R3-100ES,127
Descripción: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.3mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 338W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 170nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 9900pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 53 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.02 $2.96 $2.90
Mínimo: 1

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