PSMN3R7-100BSEJ
Fabricantes: | Nexperia USA Inc. |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | PSMN3R7-100BSEJ |
Descripción: | PSMN3R7-100BSE/SOT404/D2PAK |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Nexperia USA Inc. |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 3.95mOhm @ 25A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 405W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | D2PAK |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 246nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 16370pF @ 50V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 120A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 63 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.74 | $1.71 | $1.67 |
Mínimo: 1