Image is for reference only , details as Specifications

PSMN1R8-30PL,127

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PSMN1R8-30PL,127
Descripción: MOSFET N-CH 30V TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.15V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 270W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 170nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 10180pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 2875 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.22 $2.18 $2.13
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BUK7E3R5-60E,127
Nexperia USA Inc.
$2.22
IRF1405ZPBF
Infineon Technologies
$2.21
IRFB41N15DPBF
Infineon Technologies
$2.21
IRF740SPBF
Vishay / Siliconix
$2.2
IRF2805PBF
Infineon Technologies
$2.2