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PSMN102-200Y,115

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PSMN102-200Y,115
Descripción: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 102mOhm @ 12A, 10V
Disipación de energía (máx.) 113W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores LFPAK56, Power-SO8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1568pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 21.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 115350 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.32 $1.29 $1.27
Mínimo: 1

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