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PRMD10Z

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: PRMD10Z
Descripción: PRMD10/SOT1268/DFN1412-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 480mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-XFDFN Exposed Pad
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistencia - Base (R1) 2.2kOhms
Frecuencia - Transición 230MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DFN1412-6
Resistencia - Base emisora (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 5000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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