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PQMD10Z

Fabricantes:	Nexperia USA Inc.
Categoría de producto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica:	PQMD10Z
Descripción:	TRANS NPN/PNP RET 6DFN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Categoría de producto	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie	Automotive, AEC-Q101
Empaquetado	Digi-Reel®
Estado de la pieza	Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx.	230mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	6-XFDFN Exposed Pad
Tipo de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistencia - Base (R1)	2.2kOhms
Frecuencia - Transición	230MHz, 180MHz
Paquete de dispositivos de proveedores	DFN1010B-6
Resistencia - Base emisora (R2)	47kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.)	100mA
Corriente - Corte del colector (máx.)	1µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	50V