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PMXB56ENZ

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PMXB56ENZ
Descripción: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-XDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DFN1010D-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 209pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 3806 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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