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PMV45EN2VL

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PMV45EN2VL
Descripción: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 42mOhm @ 4.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 510mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-236AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 209pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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