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PMPB215ENEAX

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PMPB215ENEAX
Descripción: MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 2.7V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 230mOhm @ 1.9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DFN2020MD-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 215pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 14619 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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