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PMGD175XNEAX

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: PMGD175XNEAX
Descripción: MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 390mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) - Id 1.25V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 6-TSSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 1.65nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 81pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 900mA (Ta)

En stock 84 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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