PMDT290UNE,115
Fabricantes: | Nexperia USA Inc. |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | PMDT290UNE,115 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Nexperia USA Inc. |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 500mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Vgs(th) (Max) - Id | 950mV @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 380mOhm @ 500mA, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-666 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 83pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 800mA |
En stock 26697 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1