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PMBT3904RAZ

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: PMBT3904RAZ
Descripción: PMBT3904RA/SOT1268/DFN1412-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 480mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-XFDFN Exposed Pad
Tipo de transistor 2 NPN (Dual)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 300MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DFN1412-6
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 200mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 50nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 40V

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