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PHT6NQ10T,135

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PHT6NQ10T,135
Descripción: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-73
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 633pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 13985 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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