La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

PHT4NQ10T,135

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PHT4NQ10T,135
Descripción: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 250mOhm @ 1.75A, 10V
Disipación de energía (máx.) 6.9W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-73
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 300pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRF7607TRPBF
Infineon Technologies
$0
SI8461DB-T2-E1
Vishay / Siliconix
$0
DMP2033UCB9-7
Diodes Incorporated
$0
2N7002E-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SSM6J206FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0