PHN203,518
Fabricantes: | Nexperia USA Inc. |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | PHN203,518 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Nexperia USA Inc. |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchMOS™ |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 2W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 30mOhm @ 7A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 14.6nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 560pF @ 20V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6.3A |
En stock 58 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1