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PHD20N06T,118

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PHD20N06T,118
Descripción: MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 77mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 51W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 422pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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