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PEMD6,115

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: PEMD6,115
Descripción: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base P*MD6
Resistencia - Base (R1) 4.7kOhms
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-666
Resistencia - Base emisora (R2) -
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 1µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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