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PDTB123EQAZ

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: PDTB123EQAZ
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 325mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-XDFN Exposed Pad
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Frecuencia - Transición 150MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DFN1010D-3
Resistencia - Base emisora (R2) 2.2 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

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