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PDTA115EMB,315

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: PDTA115EMB,315
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-XFDFN
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Número de pieza base PDTA115
Resistencia - Base (R1) 100 kOhms
Frecuencia - Transición 180MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DFN1006B-3
Resistencia - Base emisora (R2) 100 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 20mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 1µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 90 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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