Image is for reference only , details as Specifications

BUK9Y58-75B,115

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BUK9Y58-75B,115
Descripción: MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±15V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) - Id 2.15V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 53mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 60.4W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores LFPAK56, Power-SO8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10.7nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 75V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1137pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20.73A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

En stock 79484 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

RDR005N25TL
ROHM Semiconductor
$0
BSZ340N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
FDMA908PZ
ON Semiconductor
$0
ZXMP6A17E6QTA
Diodes Incorporated
$0
SIS413DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0