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BST82,235

Fabricantes:	Nexperia USA Inc.
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	BST82,235
Descripción:	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id	2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	10Ohm @ 150mA, 5V
Disipación de energía (máx.)	830mW (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-236AB
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	40pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	190mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	5V