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BCM857QASZ

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: BCM857QASZ
Descripción: BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 350mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-XFDFN Exposed Pad
Tipo de transistor 2 PNP (Dual) Matched Pair
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 175MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DFN1010B-6
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 15nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 45V

En stock 3900 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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