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BC857C/DG/B3,215

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: BC857C/DG/B3,215
Descripción: TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor PNP
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 100MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-236AB
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 15nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 45V

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