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PSMN8R0-30YL,115

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PSMN8R0-30YL,115
Descripción: MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) - Id 2.15V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.3mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.) 56W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores LFPAK56, Power-SO8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1005pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 62A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 56 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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