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PMWD16UN,518

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: PMWD16UN,518
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchMOS™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 3.1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 700mV @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 19mOhm @ 3.5A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-TSSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23.6nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1366pF @ 16V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.9A

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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