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PMGD175XN,115
| Fabricantes: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | PMGD175XN,115 |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 390mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 225mOhm @ 1A, 4.5V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 6-TSSOP |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 1.1nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 75pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 900mA |
En stock 90 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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