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PMF63UN,115

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PMF63UN,115
Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 74mOhm @ 1.8A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 275mW (Ta), 1.785W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-323-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 3.3nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 185pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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