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PHM25NQ10T,518

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PHM25NQ10T,518
Descripción: MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 30mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 62.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-HVSON (6x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 26.6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1800pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 30.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 60 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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