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PHD36N03LT,118

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PHD36N03LT,118
Descripción: MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 17mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 57.6W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 690pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 43.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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