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PDTD123EK,115
| Fabricantes: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Ficha técnica: | PDTD123EK,115 |
| Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 250mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Número de pieza base | PDTD123 |
| Resistencia - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Paquete de dispositivos de proveedores | SMT3; MPAK |
| Resistencia - Base emisora (R2) | 2.2 kOhms |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 500mA |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 70 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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