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PDTD113ES,126
| Fabricantes: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Ficha técnica: | PDTD113ES,126 |
| Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tape & Box (TB) |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 500mW |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Número de pieza base | PDTD113 |
| Resistencia - Base (R1) | 1 kOhms |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-92-3 |
| Resistencia - Base emisora (R2) | 1 kOhms |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 500mA |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 98 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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