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PDTC123ES,126

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: PDTC123ES,126
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Box (TB)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 500mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número de pieza base PDTC123
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92-3
Resistencia - Base emisora (R2) 2.2 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 1µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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