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PDTB113ZS,126

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: PDTB113ZS,126
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Box (TB)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 500mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Número de pieza base PDTB113
Resistencia - Base (R1) 1 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92-3
Resistencia - Base emisora (R2) 10 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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