PDTB113ZS,126
Fabricantes: | NXP USA Inc. |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Ficha técnica: | PDTB113ZS,126 |
Descripción: | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | NXP USA Inc. |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Serie | - |
Empaquetado | Tape & Box (TB) |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 500mW |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Número de pieza base | PDTB113 |
Resistencia - Base (R1) | 1 kOhms |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-92-3 |
Resistencia - Base emisora (R2) | 10 kOhms |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 500mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 63 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1