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PBRN123ES,126

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: PBRN123ES,126
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Box (TB)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 700mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número de pieza base PBRN123
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92-3
Resistencia - Base emisora (R2) 2.2 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 800mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 280 @ 300mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 40V

En stock 93 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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