La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
MHE1003NR3
| Fabricantes: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Ficha técnica: | MHE1003NR3 |
| Descripción: | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Ganar | 14.1dB |
| Serie | - |
| Frecuencia | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Figura de ruido | - |
| Corriente - Prueba | 50mA |
| Paquete / Caso | OM-780-2 |
| Potencia - Salida | 53dBm |
| Voltaje - Prueba | 28V |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Voltaje - Clasificado | 65V |
| Clasificación de corriente (amperios) | 10µA |
| Paquete de dispositivos de proveedores | OM-780-2 |
En stock 52 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $130.20 | $127.60 | $125.04 |
Mínimo: 1
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