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BUK98150-55,135

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BUK98150-55,135
Descripción: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 150mOhm @ 5A, 5V
Disipación de energía (máx.) 8.3W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-223
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 330pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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