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BUK962R1-40E,118

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BUK962R1-40E,118
Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 2.1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 293W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 87.8nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 13160pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

En stock 53 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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