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BUK7880-55,135

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BUK7880-55,135
Descripción: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 80mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-223
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 500pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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