La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BFU730F,115

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ficha técnica: BFU730F,115
Descripción: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganar -
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 197mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-343F
Tipo de transistor NPN
Número de pieza base BFU730
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 55GHz
Paquete de dispositivos de proveedores 4-DFP
Figura de ruido (dB Typ - f) 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 30mA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 205 @ 2mA, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 2.8V

En stock 6905 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BFP420H6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
BFP405H6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
BFS17NTA
Diodes Incorporated
$0
BFP460H6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
BFP420FH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0